
e-CVD
Ionautics的e-CVD方法利用等离子体中的电子进行沉积,具有改善先进材料行业工艺的潜力。利用HiPIMS中高密度的等离子体电子,再加上合适的化学前体,可以在不破坏真空和不使用湿化学方法的情况下,一步完成涂覆复杂形状的涂层。
- 生态友好
- 安全
- 半导体领域次世代技术
- 高效
CVD开发经理寄语
我们的e-CVD技术
“我们确信,我们的e-CVD技术将创造一个安全的工作环境,并实现高效的半导体生产。这是电子行业的次世代技术。”

Henrik Pedersen教授
资深顾问

e-CVD技术
非视距沉积方法消除了湿法化学沉积步骤的必要性,为电子工业中的金属沉积提供快速和简化的工艺。低温下的高沉积速率可以与自下而上和自上而下的区域选择性沉积相结合,而不需要危险、不稳定的、需要特殊处理、储存和工作程序的分子。
应用
1. 金属沉积
2. 区域选择性金属-金属沉积
用于半导体器件中的金属膜图案化,它引入了新的工艺设计方法,以降低工艺复杂性并提高半导体制造中的能源效率。3D FinFET和纳米线就是此类应用的例子。
3. 温敏材料上的沉积
用于在织物、聚合物、柔性材料和其他温度敏感材料上沉积金属膜。
e-CVD出版物
关于我司e-CVD技术的深度介绍
H. Nadhom,D. Lundin,P. Rouf以及H. Pedersen,J. Vac.Sci.Technol.A 38,033402 (2020)
租赁
专有技术和专利
客户还可租赁我们在该领域的广泛专业知识以及专利。Ionautics希望确保我们的客户获得最佳的支持和服务,因此我们可根据客户的需求打造定制的产品。联系我们以了解更多。