按时间顺序
出版物
2012
Lundin和K.Sarakinos，高功率脉冲磁控溅射薄膜处理简介，J.Mater.Res.27, 780, (2012) 链接：https://doi.org/10.1557/jmr.2012.8
2013
高电离脉冲等离子体中纳米颗粒的可控尺寸成长。
Pilch, D. Söderström, N. Brenning, 和 U. Helmersson
Appl.Phys.Lett.102, 033108 (2013) 链接：http://dx.doi.org/10.1063/1.4788739
2015
用碳基复合涂层的新型多层纳米结构抑制工具颤振, Q. Fu, G. S. Lorite, Md. Masud-Ur Rashid, T.Selkälä, J. Uusitalo, G. Toth, K. Kordas, T. Österlind, C. M. Nicolescu, J. Mater. Process. Tech. 223, 292 (2015).
超导RF腔中使用的薄膜的物理气相沉积，S. Wilde，R. Valizadeh，O.B. Malyshev，G. B. G. Stenning，A. Hannah，D.O. Malyshev，S. Pattalwar，B. Chesca，第六届国际粒子加速器大会论文集 2015，2015年5月3日至8日，美国弗吉尼亚州里士满。JACoW，页码3249-3252。
用于增强热特性的纳米晶六方氮化硼薄膜的垂直自有序取向，Olivier Cometto；Bo Sun，Siu Hon Tsang，Xi Huang；Yee Kan Kohc，Edwin Hang Tong Teo，纳米尺度，2015年12月7日，第45期，第18829至19326页。
2016
通过高功率脉冲磁控溅射生长的薄和超薄铜层中的低电阻率，Felipe Cemin，Daniel Lundin，Davide Cammilleri，Thomas Maroutian，Philippe Lecoeur 和 Tiberiu Minea；J. Va.Sci.Technol.A, 34, 051506 (2016)。
氮化铪反应性高功率脉冲磁控溅射中峰值电流调节的工艺稳定，T. Shimizu，M. Villamayor，D. Lundin，U. Helmersson，物理学杂志 D：应用物理学 49，065202 (2016)。
2017
HiPIMS沉积的具有高环境稳定性的热致变色VO2薄膜，S. Loquai，B. Baloukas，J.E. Klemberg-Sapieha，L. Martinu，太阳能能源材料和太阳能电池160, 217 (2017)。
沉积在由脉冲直流或HiPIMS供电的空心阴极磁控管中的铬薄膜的性质，A. de Monteynard，F. Schuster，A. Billard，F. Sanchette，表面和涂层技术330, 241 (2017)。
高能离子轰击在铜薄膜生长过程中调节应力和微观结构演变的好处，F. Cemin，G. Abadias，T. Minea，C. Furgeaud，F. Brisset，D. Solas和D. Lundin，Acta Mater.141, 120 (2017)。
，F. Haase，H. Kersten，D. Lundin，Eur.Phys.J. D 71, 245 (2017)。
反应性高功率脉冲磁控溅射（R-HiPIMS）中的过渡模式控制，T. Shimizu，M. Villamayor，J. Keraudy，D. Lundin，U. Helmersson，J. Vac.Soc.Jpn.60, 346 (2017)。
使用单步HiPIMS工艺在Si（001）上外延生长Cu（001）薄膜，F. Cemin，D. Lundin，C. Furgeaud，A. Michel，G. Amiard，T. Minea 和 G. Abadias，科学报告 7，1655 (2017)。
2018
通过瞬态光栅光谱对非晶和纹理碳及氮化碳薄膜的热研究，O. Cometto，C.A.Dennett，S.H. Tsang，M.P. Short，E.H.T.Teo，碳 130，355 (2018)。
通过脉冲等离子体内磁性自组装实现的催化性纳米桁架结构，S. Ekeroth，E.P. Munger，R. Boyd，J. Ekspong，T. Wågberg，L. Edman，N. Brenning，U. Helmersson，纳米快报 18，3132 (2018)。
使用高功率脉冲磁控溅射沉积的铌薄膜超导体的直流磁测量，S. Wilde，R. Valizadeh，O.B. Malyshev，G.B.G. Stenning，T. Sian，B. Chesca，Phys.Rev. Accel.Beams 21，073101 (2018)。
LHiPIMS中的低能离子辐照使锐钛矿TiO2选择性生长，F. Cemin，M. Tsukamoto，J. Keraudy，V.G. Antunes，U. Helmersson，F. Alvarez，T. Minea，D. Lundin，J. Phys.D:Appl.Phys.23，235301 (2018)。
高度简并InN纳米晶的局部中红外等离子体的低损耗和可调谐，S. Askari，D. Mariotti，J.E. Stehr，J. Benedikt，J. Keraudy，U. Helmersson，纳米快报 xx，xxxx (2018)。
基于碳化硅上的外延石墨烯的气体传感器性能调优，M. Rodner，J. Bahonjic，M. Mathisen，R. Gunnarsson，S. Ekeroth，U. Helmersson，I.G. Ivanov，R. Yakimova，J. Eriksson，材料与设计153，153 (2018)。
通过脉冲等离子体内磁性自组装实现的催化性纳米桁架结构。Sebastian Ekeroth，E. Peter Münger，Robert Boyd，Joakim Ekspong，Thomas Wågberg，Ludvig Edman，Nils Brenning，和Ulf Helmersson，纳米快报 18，3132 (2018)
链接：http://dx.doi.org/10.1021/acs.nanolett.8b00718
2019
在不使用衬底偏压的情况下，在TiN薄膜生长过程中用于高能离子轰击的双极高功率脉冲磁控溅射，Rommel Paulo B.Viloan，Jiabin Gu，Robert Boyd，Julien Keraudy，Liuhe Li，Ulf Helmersson，固体薄膜 688 (2019) 137350
调节高功率脉冲磁控溅射放电和衬底偏压条件以降低TiN薄膜的固有应力，Felipe Cemin，Gregory Abadias，Tiberiu Minea，Daniel Lundin，固体薄膜 688 (2019) 137335
HiPIMS放电中磁场强度和几何形状对沉积速率和电离通量分数的影响，Hamidreza Hajihosini，MartinČada，Zdenek Hubička，SelenÜnaldi，Michael A.Raadu，Nils Brenning，Jon Tomas Gudmundsson和Daniel Lundin，等离子体 2019，2(2)，201-221
高功率脉冲磁控溅射沉积的c-BN薄膜的粘附性和摩擦性能，İ. Efeoğlu，Y. Totık，A. Keleş，G. Gülten，K. Ersoy，G. Durkaya，陶瓷国际 45，3000 (2019)。
脉冲磁控溅射沉积的TiB2涂层的微观结构驱动强化，M.N.Polyakov，M.Morstein，X.Maeder，T.Nelis，D.Lundin，J.Wehrs，J.P.Best，T.E.J.Edwards，M.Döbeli，J.Michler，表面和涂层技术368，88 (2019)。
用于调整薄膜沉积中离子能量的双极HiPIMS，Julien Keraudy，Rommel Paulo B.Viloan，Michael A.Raadu Nils Brenning Daniel Lundin Ulf Helmersson，表面和涂层技术359，433 (2019)。
2020
Lundin，T.Minea和J.T.Gudmundsson，高功率脉冲磁控溅射：基础、技术、挑战和应用，（爱思唯尔，阿姆斯特丹，2020）。
通过调节反应性HiPIMS放电中的双电荷离子分数来调节TiN膜中的应力，Rommel Paulo B. Viloan，Daniel Lundin，Julien Keraudy和Ulf Helmersson，J. Appl.Phys.127，103302 (2020)
H. Nadhom，D. Lundin，P. Rouf和H. Pedersen，以等离子体电子为还原剂的金属膜化学气相沉积，J. Vac.Sci.Technol.A 38，033402 (2020) 链接：https://doi.org/10.1116/1.5142850
通过调节高功率脉冲磁控溅射中的脉冲长度来优化沉积速率和电离通量分数，Martin Rudolph，Nils Brenning，Michael A. Raadu，Hamidreza Hajihoseini，Jon Tomas Gudmundsson，André Anders和Daniel Lundin，等离子体源 Sci. Technol.29 (2020) 05LT01
直流和高功率脉冲磁控溅射中的侧向沉积速率和电离通量分数，Hamidreza Hajihoseini，Martin Čada，Zdenek Hubička，Selen Ünaldi，Michael A. Raadu，Nils Brenning Jon Tomas Gudmundsson和Daniel Lundin，J. Vac. Sci.Technol.A 38，033009 (2020)。
2021
使用具有同步脉冲衬底偏压的HiPIMS的无应力单相α-W薄膜的低温生长，Tetsuhide Shimizu，Kazuki Takahashi，Robert Boyd，Rommel Paulo Viloan，Julien Keraudy，Daniel Lundin，Ming Yang和Ulf Helmersson，J. Appl. Phys.129，155305 (2021)
通过缩短HiPIMS脉冲，在保持高电离通量分数的情况下，沉积速率增加的实验验证，T Shimizu，M Zanásˇka，R P Villoan，N Brenning，U Helmersson和Daniel Lundin，等离子体源 Sci. Technol.30 (2021) 045006 (8pp)
温度和沉积技术对磁控溅射法制备的基于Ti-B的薄膜的微观结构、化学性质和摩擦力学特性的影响，Silvia Maria Deambrosis，Valentina Zin，Francesco Montagner，Cecilia Mortal`o，Monica Fabrizio，Enrico Miorin，表面和涂层技术 405 (2021) 126556
双极HiPIMS：电容耦合在介电薄膜生长过程中实现离子轰击的作用，Hao Du，Michal Zan´aˇska，Nils Brenning，Ulf Helmersson，表面和涂层技术 416 (2021) 127152
优化双极HiPIMS放电加速离子通量分数的脉冲长度选择，Rommel Paulo B. Viloan，Michal Zanásˇka，Daniel Lundin和Ulf Helmersson，等离子体源 Sci.Technol.29 (2021) 125013 (8pp)
磁性收集的铂/镍合金纳米粒子用作析氢催化剂，
Sebastian Ekeroth，Joakim Ekspong，Dimitrios K. Perivoliotis，Sachin Sharma，Robert Boyd，Nils Brenning，Eduardo Gracia-Espino，Ludvig Edman，Ulf Helmersson以及Thomas Wågberg
ACS应用《纳米材料》，4，12957 (2021) 链接：https://doi.org/10.1021/acsanm.1c01676
2022
为光伏应用定制HiPIMS TiO2薄膜的结构和光学性能，N.Zinai，A.Bouzidi，N.Saoula，R.Miloua，M.Medles，W.Filali，E.Garoudjab，M.Azibi，P.R.Connelly，A.Nakrela，《光学材料》，第131卷，2022年9月，112590
HiPIMS沉积的多相超硬氮化硼薄膜的摩擦学行为，M.Flores Jiménez，César Daniel Rivera Tello，J. Pérez Alvarez，O.Jimenez，J.Chávez，D.Bravo Barcenas，J.Muñoz Saldaña和M.Flores Martínez，《材料快报》318 (2022) 132167
用于LWR燃料包壳应用的SiC PVD-Cr涂层的微观结构和纳米力学研究，Kyle Quillin，Hwasung Yeom，Tyler Dabney，Evan Willing，Kumar Sridharan，《表面与涂层技术》441 (2022) 128577
